三星電子日前宣布已開始量產(chǎn)用于汽車的10nm級16Gb(2GB)LPDDR4X DRAM內(nèi)存顆粒。新的LPDDR4X內(nèi)存顆粒具有極高的耐熱性(高達125°C)。

三星表示，最新的LPDDR4X具有高性能和高能效，滿足了全球汽車制造商嚴格的系統(tǒng)熱循環(huán)測試。

在此之前，三星20nm級別的16Gb LPDDR4X能夠承受-40°C至105°C的溫度，而最新的10nm工藝內(nèi)存符合Automotive Grade 1標準，將溫度門檻提升至125°C。新的內(nèi)存顆粒即使在溫度高達125°C的環(huán)境中，其數(shù)據(jù)處理速度也達到每秒4,266(Mbps)，比基于20nm工藝技術的8Gb LPDDR4 DRAM提高了14%，并且新存儲器在傳輸效率上也增加了30%。

三星表示，未來10nm級LPDDR4X DRAM將應用于12Gb、16Gb、24Gb和32Gb容量的不同版本。